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用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应

冯锡淇 骆宾章 唐福娣 张雁行 洪福根 谭浩然

用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应

冯锡淇, 骆宾章, 唐福娣, 张雁行, 洪福根, 谭浩然
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出版历程
  • 收稿日期:  1966-01-26
  • 刊出日期:  2005-08-05

用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应

  • 1. 中国科学院

摘要: 应用范德保法测量了电阻率在10-3—102欧姆·厘米范围的n型和p型碳化硅单晶和外延层的电学性质。进行了测定条件的选择,范德保法与普通法的对照等试验。发现接触电阻的大小和稳定程度对测量结果有极大的影响。在铟、紫铜、锡、磷铜等机械接触中,铟电极具有最低的接触电阻,其他电极须经电冶成方能进行测定。在不同的电极材料和样品电流下,电阻率偏离约2%,指出,样品电流应当根据具体样品的电阻率和接触电阻加以选择。与普通法比较,范德保法精确度高,数据重复性好。测量了自室温至1000°K范围内碳化硅单晶的高温电学性质,求得氮施主的电离能为0.056电子伏。讨论了引起实验误差的一些异常现象及其产生原因。

English Abstract

参考文献 (1)

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