搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

李 晶 刘红侠 郝 跃

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

李 晶, 刘红侠, 郝 跃
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3570
  • PDF下载量:  1424
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-08
  • 修回日期:  2005-10-27
  • 刊出日期:  2006-05-20

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60206006)、国家高技术研究发展计划(批准号: 2004AA1Z1070)和教育部重点科技研究项目(批准号: 104172)资助的课题.

摘要: 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回