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半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫

吴 羽 焦中兴 雷 亮 文锦辉 赖天树 林位株

半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫

吴 羽, 焦中兴, 雷 亮, 文锦辉, 赖天树, 林位株
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-26
  • 修回日期:  2005-12-21
  • 刊出日期:  2006-06-20

半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫

  • 1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274107, 60178020,60378006)和国家自然科学基金重大项目(批准号:60490290) 及广东省自然科学基金项目(批准号:04009736)资助的课题.

摘要: 根据电子自旋轨道耦合对自旋极化弛豫影响的DP机理进一步导出了半导体中电子自旋弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系,并采用飞秒抽运探测技术在室温下测量AlGaAs/GaAs 多量子阱中载流子浓度在 1×1017—1×1018cm-3范围内,电子自旋弛豫时间由58ps增加至82 ps的变化情况,与理论计算值符合,说明了随着载流子浓度的增加,载流子间的频繁散射加速了电子动量驰豫,减弱了电子自旋轨道耦合作用,从而延长了电子自旋寿命.

English Abstract

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