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CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算

冯 晶 肖 冰 陈敬超

CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算

冯 晶, 肖 冰, 陈敬超
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-17
  • 修回日期:  2007-03-07
  • 刊出日期:  2007-10-20

CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算

  • 1. 稀贵及有色先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明理工大学,昆明 650093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50361003)和云南省自然科学基金重点项目(批准号:2006003Z)资助的课题.

摘要: 从头计算了CuInSe2(CIS)体相的性质,参数设定和性质计算都基于密度泛函理论,交换相关能采用GGA,泛函形式为PBE,原子间相互作用的描述采用超软赝势.计算发现CIS中存在共价键,是一种非典型的离子型晶体,在整个晶体内存在共用电子对,Cu原子和Se原子的作用大于Se原子和In原子.CIS是一种典型的直接带隙半导体,计算得到了光学性质的各项参数,包括折射指数和反射率,吸收系数以及介电函数与光子能量的关系,发现CIS的主要光吸收峰有6个,分别为:3.1,7.6,10.0,16.1,19.0,21.0eV,理论上最强吸收峰在紫外光区.

English Abstract

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