搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法

谷建峰 刘志文 刘 明 付伟佳 马春雨 张庆瑜

Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法

谷建峰, 刘志文, 刘 明, 付伟佳, 马春雨, 张庆瑜
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3513
  • PDF下载量:  1379
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-09
  • 修回日期:  2006-10-31
  • 刊出日期:  2007-04-20

Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10605009)资助的课题.

摘要: 利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回