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有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

刘秀喜 王公堂

有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

刘秀喜, 王公堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-28
  • 修回日期:  2007-05-29
  • 刊出日期:  2008-01-15

有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

  • 1. 山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014
    基金项目: 

    山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题.

摘要: 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16 kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.

English Abstract

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