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感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

吕 玲 龚 欣 郝 跃

感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

吕 玲, 龚 欣, 郝 跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-31
  • 修回日期:  2007-06-21
  • 刊出日期:  2008-02-20

感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020301)资助的课题.

摘要: 研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表面制作Ni/Au电极,进行欧姆接触特性的测试.实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的.

English Abstract

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