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表面态调控对GaN荧光光谱的影响

周楠 郑强 胡北辰 石德权 苗春雨 马春雨 梁红伟 郝胜智 张庆瑜

表面态调控对GaN荧光光谱的影响

周楠, 郑强, 胡北辰, 石德权, 苗春雨, 马春雨, 梁红伟, 郝胜智, 张庆瑜
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  • 采用高阻本征GaN薄膜,通过H3 PO4 刻蚀和SiOxNy 薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响. 研究发现,H3PO4 刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy 薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12–13倍,同时对可见荧光有明显增加. 通过比较H3PO4 刻蚀和SiOxNy 薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-21
  • 修回日期:  2014-03-14
  • 刊出日期:  2014-07-05

表面态调控对GaN荧光光谱的影响

  • 1. 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室, 大连 116024

摘要: 采用高阻本征GaN薄膜,通过H3 PO4 刻蚀和SiOxNy 薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响. 研究发现,H3PO4 刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy 薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12–13倍,同时对可见荧光有明显增加. 通过比较H3PO4 刻蚀和SiOxNy 薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.

English Abstract

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