一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

杨谟华; 谭开洲; 徐世六; 张正璠; 刘玉奎; 钟  怡; 胡刚毅; 何开全

doi:10.7498/aps.57.1872

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一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

杨谟华 , 谭开洲 , 徐世六 , 张正璠 , 刘玉奎 , 钟怡 , 胡刚毅 , 何开全

一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

杨谟华, 谭开洲, 徐世六, 张正璠, 刘玉奎, 钟怡, 胡刚毅, 何开全

物理学报. 2008, 57(3): 1872-1877.

doi: 10.7498/aps.57.1872.

摘要
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验，采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时，新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据，明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点，初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流，该电流不能简单地从I-V曲线上定量分

关键词:
界面陷阱 /

亚阈值电流 /

X射线辐射 /

VDMOS
作者及机构信息
杨谟华¹,

谭开洲²,

徐世六³,

张正璠³,

刘玉奎³,

钟怡³,

胡刚毅⁴,

何开全⁴

(1)电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054; (2)电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060; (3)模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060; (4)中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 400060

基金项目: 国防预研究基金(批准号：41308020413)资助的课题.
参考文献

施引文献

[1]	高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 张彦飞, 王春林, 温景超. 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究. 物理学报, 2012, 61(17): 176107. doi: 10.7498/aps.61.176107
[2]	李忠贺, 刘红侠, 郝跃. 超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理. 物理学报, 2006, 55(2): 820-824. doi: 10.7498/aps.55.820
[3]	陈伟华, 杜磊, 何亮, 张天福, 张雪, 庄奕琪, 包军林. MOS结构电离辐射效应模型研究. 物理学报, 2009, 58(6): 4090-4095. doi: 10.7498/aps.58.4090
[4]	孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳. 金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究. 物理学报, 2012, 61(10): 107803. doi: 10.7498/aps.61.107803
[5]	李瑞珉, 杜磊, 庄奕琪, 包军林. MOSFET 辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究. 物理学报, 2007, 56(6): 3400-3406. doi: 10.7498/aps.56.3400
[6]	赵刚, 王薇, 张杰. 吸积盘的X射线辐射对周围星际物质的离化研究. 物理学报, 2006, 55(1): 287-293. doi: 10.7498/aps.55.287
[7]	朱卫卫, 张秋菊, 张延惠, 焦扬. 电子在激光驻波场中运动产生的太赫兹及X射线辐射研究. 物理学报, 2015, 64(12): 124104. doi: 10.7498/aps.64.124104
[8]	孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮. 基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型. 物理学报, 2012, 61(6): 067801. doi: 10.7498/aps.61.067801
[9]	宁成, 丁宁, 杨震华. “强光一号”装置上部分Z箍缩实验结果的物理分析. 物理学报, 2007, 56(1): 338-345. doi: 10.7498/aps.56.338
[10]	丁宁, 邬吉明, 戴自换, 张扬, 尹丽, 姚彦忠, 孙顺凯, 宁成, 束小建. Z箍缩内爆的MARED程序数值模拟分析. 物理学报, 2010, 59(12): 8707-8716. doi: 10.7498/aps.59.8707
[11]	E. V. Grabovsky, G. M. Oleynic, V. V. Alexandrov, V. P. Smirnov, 丁宁, 徐荣昆, 李正宏, 杨建伦, 蒋世伦, 章法强, 王真, 许泽平, 宁家敏, 李林波, 周秀文. 中俄Z-pinch联合实验新进展. 物理学报, 2011, 60(4): 045208. doi: 10.7498/aps.60.045208
[12]	林若兵, 王欣娟, 冯倩, 王冲, 张进城, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究. 物理学报, 2008, 57(7): 4487-4491. doi: 10.7498/aps.57.4487
[13]	宁成, 杨震华, 丁宁. Z箍缩内爆过程中的能量转换机制研究. 物理学报, 2003, 52(2): 415-420. doi: 10.7498/aps.52.415
[14]	宁成, 杨震华, 丁宁. 喷气Z箍缩内爆动力学过程的数值模拟研究. 物理学报, 2003, 52(7): 1650-1655. doi: 10.7498/aps.52.1650
[15]	成金秀, 缪文勇, 孙可熙, 王红斌, 杨家敏, 曹磊峰, 温天舒, 陈正林, 杨存榜, 江少恩, 崔延莉, 汤小青, 于艳宁, 陈久森. X射线辐射输运分解实验研究. 物理学报, 2000, 49(2): 282-287. doi: 10.7498/aps.49.282
[16]	张　荣, 周春红, 郑有炓, 邓咏桢, 孔月婵, 陈　鹏, 席冬娟, 顾书林, 沈　波, 江若琏, 韩　平, 施　毅. AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究. 物理学报, 2004, 53(11): 3888-3894. doi: 10.7498/aps.53.3888
[17]	朱南昌, 李润身, 许顺生. 半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究. 物理学报, 1991, 40(3): 433-440. doi: 10.7498/aps.40.433
[18]	潘士宏, 庄岩, 王玉田. 研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法. 物理学报, 1995, 44(7): 1073-1080. doi: 10.7498/aps.44.1073
[19]	王俊, 柳义, 董宝中, 李志宏, 巩雁军, 吴东, 孙予罕. 小角X射线散射法测定溶胶平均界面厚度. 物理学报, 2001, 50(6): 1128-1131. doi: 10.7498/aps.50.1128
[20]	孙可煦, 易荣清, 杨家敏, 王红斌, 马洪良, 陈正林, 黄天暄, 崔延莉, 郑志坚, 唐道源, 丁永坤, 温树槐, 江文勉, 赵永宽, 崔明启, 黎刚, 崔聪悟, 唐鄂生. 同步辐射软X射线源用于软X射线探测元件定标. 物理学报, 1997, 46(4): 650-655. doi: 10.7498/aps.46.650

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物理学报. 2008, 57(3): 1872-1877.

doi: 10.7498/aps.57.1872.

一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

1. (1)电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054; (2)电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060; (3)模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060; (4)中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 400060

基金项目:

国防预研究基金(批准号：41308020413)资助的课题.

收稿日期: 2007-06-06
修回日期: 2007-07-24
刊出日期: 2008-03-20

摘要: 利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验，采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时，新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据，明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点，初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流，该电流不能简单地从I-V曲线上定量分

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