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MOS结构电离辐射效应模型研究

陈伟华 杜磊 庄奕琪 包军林 何亮 张天福 张雪

MOS结构电离辐射效应模型研究

陈伟华, 杜磊, 庄奕琪, 包军林, 何亮, 张天福, 张雪
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-14
  • 修回日期:  2008-11-11
  • 刊出日期:  2009-03-05

MOS结构电离辐射效应模型研究

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题.

摘要: 基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系,在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和,模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下,两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系,认为低辐射剂量下两者存在线性关系,并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS器件辐射损伤提供了更

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