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全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

林瀚 刘守 张向苏 刘宝林 任雪畅

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

林瀚, 刘守, 张向苏, 刘宝林, 任雪畅
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-09
  • 修回日期:  2008-06-06
  • 刊出日期:  2009-01-05

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

  • 1. 厦门大学物理系,厦门 361005
    基金项目: 

    福建省青年人才创新项目(批准号:2007F3099)资助的课题.

摘要: 为了提高GaN基发光二极管(LED)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制作,然后采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚的n型GaN层,4层量子阱和200nm厚的p型GaN层,形成LED结构.衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构,晶格常数为3.8μm,刻蚀深度为800nm.LED器件光强输出测试结果显示,在PSS上制作的LED(PSS-LED)的发光强度普遍高于蓝宝石平

English Abstract

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