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一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

朱樟明 钱利波 杨银堂

一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

朱樟明, 钱利波, 杨银堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-16
  • 修回日期:  2008-09-11
  • 刊出日期:  2009-02-05

一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号:60725415)和国家自然科学基金(批准号:60676009,60776034)资助的课题.

摘要: 基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.

English Abstract

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