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嵌入T型耦合双量子点介观A-B环系统的显著Fano 效应

谌宝菊 谌雄文 施振刚 宋克慧

嵌入T型耦合双量子点介观A-B环系统的显著Fano 效应

谌宝菊, 谌雄文, 施振刚, 宋克慧
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-30
  • 修回日期:  2008-10-18
  • 刊出日期:  2009-04-20

嵌入T型耦合双量子点介观A-B环系统的显著Fano 效应

  • 1. (1)怀化学院物理与电子信息科学系,怀化 418008; (2)怀化学院物理与电子信息科学系,怀化 418008;怀化学院信息科学研究所,怀化 418008
    基金项目: 

    湖南省自然科学基金 (批准号:06jj50014)、湖南省教育厅科研基金重点项目 (批准号:06A055)和怀化学院科学研究基金资助的课题.

摘要: 利用平均场近似理论,研究了一个嵌入T型弱耦合双量子点的介观环系统的基态性质. 结果表明,体系中复杂的基态性质源于Kondo效应与Fano效应相互竞争. 当介观环的尺寸达到足以产生完全Kondo共振时,随双量子点间耦合强度的增强,尖锐的持续电流峰出现了,且越发显著,这说明体系中存在着显著的Fano 效应. 但介观环的Kondo共振持续电流峰值却几乎不发生变化,这为测定Kondo 屏蔽云提供了一个新的可能模型.

English Abstract

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