| [1] | 
									
										王欢, 何春娟, 徐升, 王义炎, 曾祥雨, 林浚发, 王小艳, 巩静, 马小平, 韩坤, 王乙婷, 夏天龙. 拓扑半金属及磁性拓扑材料的单晶生长. 物理学报,
												2023, 72(3): 038103.
												
												doi: 10.7498/aps.72.20221574
											
										 | 
								
							
									| [2] | 
									
										邱航强, 谢晓萌, 刘艺, 李玉科, 许晓峰, 焦文鹤. 三元钯基碲化物的单晶生长和电输运性质. 物理学报,
												2022, 71(22): 227401.
												
												doi: 10.7498/aps.71.20221034
											
										 | 
								
							
									| [3] | 
									
										谷文浩, 常胜江, 范飞, 张选洲. 基于锑化铟亚波长阵列结构的太赫兹聚焦器件. 物理学报,
												2016, 65(1): 010701.
												
												doi: 10.7498/aps.65.010701
											
										 | 
								
							
									| [4] | 
									
										张晓玲, 孟庆端, 张立文, 耿东峰, 吕衍秋. 液氮冲击中锑化铟焦平面探测器形变研究. 物理学报,
												2014, 63(15): 156101.
												
												doi: 10.7498/aps.63.156101
											
										 | 
								
							
									| [5] | 
									
										邱胜桦, 陈城钊, 刘翠青, 吴燕丹, 李平, 林璇英, 黄翀, 余楚迎. 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响. 物理学报,
												2009, 58(1): 565-569.
												
												doi: 10.7498/aps.58.565
											
										 | 
								
							
									| [6] | 
									
										路忠林, 邹文琴, 徐明祥, 张凤鸣. 单晶和孪晶的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜的制备与研究. 物理学报,
												2009, 58(12): 8467-8472.
												
												doi: 10.7498/aps.58.8467
											
										 | 
								
							
									| [7] | 
									
										牛智川, 周增圻, 林耀望, 李新峰, 张益, 胡雄伟, 吕振东, 袁之良, 徐仲英. InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究. 物理学报,
												1997, 46(5): 969-974.
												
												doi: 10.7498/aps.46.969
											
										 | 
								
							
									| [8] | 
									
										何丕模, 徐亚伯, 李海洋, 齐仲甫, 蔡莲珍. C60单晶生长及特性的研究. 物理学报,
												1994, 43(2): 248-252.
												
												doi: 10.7498/aps.43.248
											
										 | 
								
							
									| [9] | 
									
										韩飞, 马本堃. 序参量守恒系统中空间相关的界面生长. 物理学报,
												1993, 42(11): 1806-1811.
												
												doi: 10.7498/aps.42.1806
											
										 | 
								
							
									| [10] | 
									
										韩飞, 马本堃. 外场存在时界面生长的重整化群研究. 物理学报,
												1993, 42(11): 1812-1816.
												
												doi: 10.7498/aps.42.1812
											
										 | 
								
							
									| [11] | 
									
										郭可信, 吴玉琨, 梁金忠, 常昕. 非晶Ni-P合金晶化过程中生成的六角亚稳相(Ⅱ)——孪晶生长关系. 物理学报,
												1983, 32(7): 939-946.
												
												doi: 10.7498/aps.32.939
											
										 | 
								
							
									| [12] | 
									
										俞振中, 金刚, 陈新强, 马可军. 锑化铟单晶中杂质的反常分凝. 物理学报,
												1980, 29(1): 19-24.
												
												doi: 10.7498/aps.29.19
											
										 | 
								
							
									| [13] | 
									
										闵乃本, 杨永顺. 直拉法YAG的小面生长和邻位面生长. 物理学报,
												1979, 28(3): 285-296.
												
												doi: 10.7498/aps.28.285
											
										 | 
								
							
									| [14] | 
									
										磁性单晶组. 掺铟的铋钙钒石榴石铁氧体单晶生长与磁性. 物理学报,
												1976, 25(5): 373-382.
												
												doi: 10.7498/aps.25.373
											
										 | 
								
							
									| [15] | 
									
										吴自强, 汤定元. p型锑化铟中的噪声. 物理学报,
												1966, 22(2): 205-213.
												
												doi: 10.7498/aps.22.205
											
										 | 
								
							
									| [16] | 
									
										徐鸿达, 林兰英. 锑化铟的热处理. 物理学报,
												1966, 22(6): 698-707.
												
												doi: 10.7498/aps.22.698
											
										 | 
								
							
									| [17] | 
									
										黄启圣, 汤定元. 锑化铟中载流子的复合过程. 物理学报,
												1965, 21(5): 1038-1048.
												
												doi: 10.7498/aps.21.1038
											
										 | 
								
							
									| [18] | 
									
										萧楠, 刘益焕. 锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨——用X射线衍射法测量. 物理学报,
												1964, 20(8): 699-704.
												
												doi: 10.7498/aps.20.699
											
										 | 
								
							
									| [19] | 
									
										林蘭英, 徐鸿达. 锑化铟的机械损伤. 物理学报,
												1964, 20(12): 1268-1277.
												
												doi: 10.7498/aps.20.1268
											
										 | 
								
							
									| [20] | 
									
										赵晓峰, 陈式刚, 蒋月明. 锑与铟的解析原子波函数. 物理学报,
												1962, 18(3): 175-176.
												
												doi: 10.7498/aps.18.175
											
										 |