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金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究

杨学林 张国义 范广涵 邢海英

金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究

杨学林, 张国义, 范广涵, 邢海英
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-03
  • 修回日期:  2009-05-23
  • 刊出日期:  2010-01-15

金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究

  • 1. (1)北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871; (2)华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631; (3)天津工业大学信息与通信工程学院,天津 300160;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金(批准号:06025083),广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071),粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A01501008)资助的课题.

摘要: 研究由MOCVD 技术制备的 GaMnN 外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区144 eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为144 eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E.

English Abstract

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