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低偏压下单层碳纳米管的输运特征

赵起迪 张振华

低偏压下单层碳纳米管的输运特征

赵起迪, 张振华
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-02-19
  • 修回日期:  2010-03-06
  • 刊出日期:  2010-11-15

低偏压下单层碳纳米管的输运特征

  • 1. 长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙 410114
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60771059),湖南省教育厅科技项目(批准号:08A005,08C110)和长沙理工大学重点学科建设项目资助的课题.

摘要: 系统地计算了各种手性碳纳米管最低导带的电子速度和有效质量的变化规律,在此基础上推断手性碳纳米管低偏压下的输运特征,计算表明:在低偏压电子输运时,同一系列(手性角相同)的各种手性金属碳纳米管的输运性质相同,与管径无关,但不同系列的手性金属碳纳米管的输运性质有明显区别;而同一系列的各种手性半导体型碳纳米管的输运性质有一定差异,但不同系列的手性半导体型碳纳米管的输运性质有着显著差异.这一结果说明:碳纳米管在低偏压下的输运特征与系列有着密切的关系,手性角是决定各种碳纳米管在低偏压下具有不同输运性质的最关键的几何参

English Abstract

参考文献 (17)

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