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La,V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

李建军 于军 李佳 王梦 李玉斌 吴云翼 高俊雄 王耘波

La,V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

李建军, 于军, 李佳, 王梦, 李玉斌, 吴云翼, 高俊雄, 王耘波
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-19
  • 修回日期:  2009-06-04
  • 刊出日期:  2010-02-15

La,V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90407023)、国家自然科学基金(批准号:60571009)和教育部博士学科点专项科研基金(批准号:200804870071)资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备出Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12(BLTV)铁电薄膜,研究了La,V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向,BLTV薄膜为随机取向,拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6(或VO6)八面体的对称性,也增强了Ti—O键(或V—O键)杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4 μC/cm2,远大于BIT薄膜的9.2 μC/cm2,表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性,表明La,V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.

English Abstract

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