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Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

郭熹 王霞 郑鹉 唐为华

Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

郭熹, 王霞, 郑鹉, 唐为华
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  • 采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170 K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290 K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230 K)存在明显的导电机制转变.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60571029, 50672088)、国家自然科学基金创新研究群体科学基金(批准号:60321001)和浙江省自然科学基金(批准号:Z605131)资助的课题.
    [1]

    [1]Smolenskii G A, Chupis I E 1982 Sov. Phys. Usp. 25 485

    [2]

    [2]Eerenstein W, Mathur N D, Scott J F 2006 Nature 442 759

    [3]

    [3]Spaldin N A, Fiebig M 2005 Science 309 391

    [4]

    [4]Huang Z J, Cao Y, Sun Y Y, Xue Y Y, Chu C W 1997 Phys. Rev. B 56 2623

    [5]

    [5]Hill N A 2000 J. Phys. Chem. B 104 6694

    [6]

    [6]Fiebig M, Lottermoser T H, Frhlich D, Goltsev A V, Pisarev R V 2002 Nature 419 818

    [7]

    [7]Kimura T, Goto T, Shintani H, Ishizaka K, Arima T, Tokura Y 2003 Nature 426 55

    [8]

    [8]Noda K, Nakamura S, Nagayama J, Kuwahara H 2005 J. Appl. Phys. 97 10C103

    [9]

    [9]Kimura T, Lawes G, Goto T, Tokura Y, Ramirez A P 2005 Phys. Rev. B 71 224425

    [10]

    ]Lorenz B, Litvinchuk A P, Gospodinov M M, Chu C W 2004 Phys. Rev. Lett. 92 087204

    [11]

    ]Wang C C, Cui Y M, Zhang L W 2007 Appl. Phys. Lett. 90 012904

    [12]

    ]Cui Y M, Zhang L W, Xie G L, Wang R M 2006 Solid State Commun. 138 481

    [13]

    ]Dong Z G, Gan Z Q, Ge S B, Shen M R, Xu R 2002 Acta Phys. Sin. 51 2896 (in Chinese) [董正高、甘肇强、葛水兵、沈明荣、徐闰 2002 物理学报 51 2896]

    [14]

    ]Namatame H, Fujimori A, Takagi H, Uchida S, de Groot F M F, Fuggle J C 1993 Phys. Rev. B 48 16917

    [15]

    ]Mott N F, Davis E A 1979 Electronic Processes in Non-crystalline Materials (2nd Ed) (New York: Clarendon, Oxford) p79

    [16]

    ]Jonscher A K 1999 J. Phys. D: Appl. Phys. 32 R57

    [17]

    ]Li J Y, Li S T, Yin G L 2009 Acta Phys. Sin. 58 4219 (in Chinese) [李建英、李盛涛、尹桂来 2009 物理学报 58 4219]

  • [1]

    [1]Smolenskii G A, Chupis I E 1982 Sov. Phys. Usp. 25 485

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    [2]Eerenstein W, Mathur N D, Scott J F 2006 Nature 442 759

    [3]

    [3]Spaldin N A, Fiebig M 2005 Science 309 391

    [4]

    [4]Huang Z J, Cao Y, Sun Y Y, Xue Y Y, Chu C W 1997 Phys. Rev. B 56 2623

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    [5]Hill N A 2000 J. Phys. Chem. B 104 6694

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    [6]Fiebig M, Lottermoser T H, Frhlich D, Goltsev A V, Pisarev R V 2002 Nature 419 818

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    [7]Kimura T, Goto T, Shintani H, Ishizaka K, Arima T, Tokura Y 2003 Nature 426 55

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    [8]Noda K, Nakamura S, Nagayama J, Kuwahara H 2005 J. Appl. Phys. 97 10C103

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    [9]Kimura T, Lawes G, Goto T, Tokura Y, Ramirez A P 2005 Phys. Rev. B 71 224425

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    ]Lorenz B, Litvinchuk A P, Gospodinov M M, Chu C W 2004 Phys. Rev. Lett. 92 087204

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    ]Wang C C, Cui Y M, Zhang L W 2007 Appl. Phys. Lett. 90 012904

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    ]Dong Z G, Gan Z Q, Ge S B, Shen M R, Xu R 2002 Acta Phys. Sin. 51 2896 (in Chinese) [董正高、甘肇强、葛水兵、沈明荣、徐闰 2002 物理学报 51 2896]

    [14]

    ]Namatame H, Fujimori A, Takagi H, Uchida S, de Groot F M F, Fuggle J C 1993 Phys. Rev. B 48 16917

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    ]Mott N F, Davis E A 1979 Electronic Processes in Non-crystalline Materials (2nd Ed) (New York: Clarendon, Oxford) p79

    [16]

    ]Jonscher A K 1999 J. Phys. D: Appl. Phys. 32 R57

    [17]

    ]Li J Y, Li S T, Yin G L 2009 Acta Phys. Sin. 58 4219 (in Chinese) [李建英、李盛涛、尹桂来 2009 物理学报 58 4219]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-22
  • 修回日期:  2009-08-29
  • 刊出日期:  2010-02-05

Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

  • 1. (1)北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京 100190;浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州 310018; (2)首都师范大学物理系,北京 100037; (3)浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州 310018
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60571029, 50672088)、国家自然科学基金创新研究群体科学基金(批准号:60321001)和浙江省自然科学基金(批准号:Z605131)资助的课题.

摘要: 采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170 K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290 K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230 K)存在明显的导电机制转变.

English Abstract

参考文献 (17)

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