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SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

杜文汉

SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

杜文汉
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-01
  • 修回日期:  2009-08-23
  • 刊出日期:  2010-05-15

SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

  • 1. 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50721091, 10825415, 60771006和50532040)资助的课题.

摘要: 借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500 ℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在550—590 ℃的退火温度下,SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化,界面和表面上的氧以气态的SiO溢出,使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性,这是由于表层硅原子发生断键重排,从而在表面出现悬

English Abstract

参考文献 (15)

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