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半导体光放大器引起的光控器件中的信号损伤分析

吴重庆 王智 王亚平 王拥军 忻向军

半导体光放大器引起的光控器件中的信号损伤分析

吴重庆, 王智, 王亚平, 王拥军, 忻向军
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-19
  • 修回日期:  2009-11-02
  • 刊出日期:  2010-03-05

半导体光放大器引起的光控器件中的信号损伤分析

  • 1. (1)北京交通大学光信息科学与技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044; (2)北京邮电大学电子工程学院,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京 100876
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB328300)、国家自然科学基金(批准号:60677004)、国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA01Z220,2007AA03Z447)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NECT-07-0111)资助的课题.

摘要: 在双环耦合全光缓存器的基础上分析了全光分组交换网络中以半导体光放大器(SOA)为相移器件的反馈型全光缓存器输出的信号损伤,包括SOA的非线性及载流子恢复时间限制引起的脉冲畸变与连续码流中的图样失真和SOA的自发辐射噪声累积引起的信噪比恶化及缓存器结构引起的“漏光”问题.理论分析及实验结果表明,在采用反相控制并注入高功率控制光的情况下,脉冲畸变与图样失真被抑制,由信噪比恶化及漏光决定的光分组的缓存圈数被限制在20—30圈.得到的结果对基于SOA的光缓存器及逻辑器件同样具有借鉴作用.

English Abstract

参考文献 (11)

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