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高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型

夏日源

高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型

夏日源
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-02-21
  • 刊出日期:  2005-07-29

高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型

  • 1. 山东大学物理系

摘要: 本文提出了一个杂质沉淀引起位错生成、位错-杂质相互作用、杂质原子沿晶粒间界快速扩散的模型,用以解释高剂量离子注入形成的非晶层在重新结晶的退火过程中杂质外扩散和缺陷运动现象。给出了在位错的合应力场的影响下杂质的扩散方程。以能量为80keV,剂量为1016cm-2的Pb+注入Si(111)面为例,对扩散方程进行了数学物理处理,从而给出了根据实验测量推演表观扩散系数随时间变化及位错的合应力场对杂质的作用力的纵向分布的方法。实验测得的位错合应力场对杂质的作用系数α≈8.4×10-28dyn·cm3,退火时间在5×103sec至8.25×103sec内,表观扩散系数D随时间的变化为一指数关系。

English Abstract

参考文献 (1)

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