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GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争

滕利华 王霞 赖天树

GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争

滕利华, 王霞, 赖天树
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-11
  • 修回日期:  2010-07-20
  • 刊出日期:  2011-02-05

GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争

  • 1. (1)青岛科技大学数理学院,青岛 266061; (2)中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10974106),青岛科技大学引进人才科研启动基金(批准号:4000022428)山东省杰出青年基金(批准号:JQ201018),山东省自然科学基金重点项目(批准号:ZR2009AZ002)资助的课题.

摘要: 采用时间分辨线偏振光抽运-探测光谱研究常温下本征GaAs中载流子弛豫动力学,观察到饱和吸收和吸收增强现象.发现载流子浓度为2×1017 cm-3, 探测光子能量小于1.549 eV时,饱和吸收现象比较明显,反之,有明显的吸收增强现象出现.载流子浓度大于7×1016 cm-3的范围内,吸收增强信号随时间增大没有减弱的趋势,反而有继续增强的趋势.理论上,考虑带填充效应和带隙重整化效应的竞争,模拟得到与实验谱线相符合的结果.

English Abstract

参考文献 (26)

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