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a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究

马小凤 王懿喆 周呈悦

a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究

马小凤, 王懿喆, 周呈悦
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-19
  • 修回日期:  2010-09-19
  • 刊出日期:  2011-03-05

a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究

  • 1. 上海太阳能电池研究与发展中心,上海 201201
    基金项目: 

    上海市自然科学基金(批准号:09ZR1430100)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si ∶H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si ∶H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100 ℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si ∶H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料

English Abstract

参考文献 (11)

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