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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

高博 余学峰 任迪远 崔江维 兰博 李明 王义元

p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-14
  • 修回日期:  2010-09-09
  • 刊出日期:  2011-03-05

p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

  • 1. (1)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011; (2)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;中国科学院研究生院,北京 100049;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011

摘要: 对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究. 通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应. 通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型.

English Abstract

参考文献 (16)

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