搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

外加磁场下抛物型量子线中的带电激子

张红 张春元 张慧亮 刘建军

外加磁场下抛物型量子线中的带电激子

张红, 张春元, 张慧亮, 刘建军
PDF
导出引用
导出核心图
  • 在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10674040),河北自然科学基金(批准号:A200700233)和河北工程大学青年科学基金资助的课题.
    [1]

    Ikezawa M, Nair Selvakumar V, Ren H W, Ren H W, Masumoto Y, Ruda H 2006 Phys. Rev. B 73 125321

    [2]

    Chu Q J, Yin H W, Weng Y X 2007 Chin. Phys. 16 3052

    [3]

    Zhang T Y, Zhao W 2008 Chin. Phys. B 17 4285

    [4]

    Gao K, Xie S J, Li Y, Yin S, Liu D S, Zhao X 2009 Chin. Phys. B 18 2961

    [5]

    Lampert M A 1958 Phys. Rev. Lett. 1 450

    [6]

    Kheng K, Cox R T, Merle d' Aubigne Y, Bassani F, Saminadayar K, Tatarenko S 1993 Phys. Rev. Lett. 71 1752

    [7]

    Shields A J, Pepper M, Ritchie D A, Simmons M Y, Jones G A C 1995 Phys. Rev. B 51 18049

    [8]

    Chapman J R, Johnson N F, Nicopoulos V N 1997 Phys. Rev. B 52 R10221

    [9]

    Shields A J, Bolton F M, Simmons M Y, Pepper Y, Ritchie D A 1997 Phys. Rev. B 55 R1970

    [10]

    Wojs A, Szlufarska I, Kyung-SooY, Quinn J J 1999 Phys. Rev. B 60 R11273

    [11]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2001 Phys. Rev. B 63 115302

    [12]

    Peeters F M, Riva C, Vargab K 2001 Physica B 300 139

    [13]

    Bracker A S, Stinaff E A, Gammon D, Ware M E, Tischler J G, Park D 2005 Phys. Rev. B 72 035332

    [14]

    Stébé B, Munschy G 1975 Solid State Commu. 17 1051

    [15]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2001 Phys. Rev. B 64 235301

    [16]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2000 Phys. Rev. B 61 13873

    [17]

    Shields A J, Osborne J L, Simmons M.Y, Ritchie D A 1995 Phys. Rev. B 52 R5523

    [18]

    Glasberg S, Finkelstein G, Shtrikman H, Bar-Joseph I 1999 Phys. Rev. B 59 R10425

    [19]

    Stebe B, Moradi A, Dujardin F 2000 Phys. Rev. B 61 7231

    [20]

    Astakhov G V, Yakovlev D R, Kochereshko V P, Ossau W, Faschinger W, Puls J ,Henneberger F 2002 Phys. Rev. B 65 165335

    [21]

    Kleinman D A 1983 Phys. Rev. B 28 871

    [22]

    Liu J J, Kong X J, Liu Y 1998 J. Appl. Phys. 84 2638

    [23]

    Liu J J, Chen X F, Li S S 2004 Chin. Phys. Lett. 21 2259

    [24]

    Liu J J, Zhang S F, Li Y X, Kong X J 2001 Eur. Phys. J. B 19 17

    [25]

    Zhang J B, Pang T, Chen C F 1995 Phys. Lett. A 206 101

    [26]

    Filinov A V, Riva C, Peeters F M, Lozovik Y E, Bonitz M 2004 Phys. Rev. B 70 035323

    [27]

    Li S S, Xia J B 2006 J. Appl. Phys. 100 083714

    [28]

    Li S S, Xia J B 2008 Appl. Phys. Letts. 92 022102

    [29]

    Birkedal D, Singh J, Lyssenko V G, Erland J, Hvam J M 1996 Phys. Rev. Lett. 76 672

    [30]

    Singh J, Birkedal D, Lyssenko V G, Hvam J M 1996 Phys. Rev. B 53 15909

    [31]

    Oh I K, Singh J 1999 Phys. Rev. B 60 2528

    [32]

    Bednarek S, Szafran B,Chwiej T, Adamowski J 2003 Phys. Rev. B 68 045328

  • [1]

    Ikezawa M, Nair Selvakumar V, Ren H W, Ren H W, Masumoto Y, Ruda H 2006 Phys. Rev. B 73 125321

    [2]

    Chu Q J, Yin H W, Weng Y X 2007 Chin. Phys. 16 3052

    [3]

    Zhang T Y, Zhao W 2008 Chin. Phys. B 17 4285

    [4]

    Gao K, Xie S J, Li Y, Yin S, Liu D S, Zhao X 2009 Chin. Phys. B 18 2961

    [5]

    Lampert M A 1958 Phys. Rev. Lett. 1 450

    [6]

    Kheng K, Cox R T, Merle d' Aubigne Y, Bassani F, Saminadayar K, Tatarenko S 1993 Phys. Rev. Lett. 71 1752

    [7]

    Shields A J, Pepper M, Ritchie D A, Simmons M Y, Jones G A C 1995 Phys. Rev. B 51 18049

    [8]

    Chapman J R, Johnson N F, Nicopoulos V N 1997 Phys. Rev. B 52 R10221

    [9]

    Shields A J, Bolton F M, Simmons M Y, Pepper Y, Ritchie D A 1997 Phys. Rev. B 55 R1970

    [10]

    Wojs A, Szlufarska I, Kyung-SooY, Quinn J J 1999 Phys. Rev. B 60 R11273

    [11]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2001 Phys. Rev. B 63 115302

    [12]

    Peeters F M, Riva C, Vargab K 2001 Physica B 300 139

    [13]

    Bracker A S, Stinaff E A, Gammon D, Ware M E, Tischler J G, Park D 2005 Phys. Rev. B 72 035332

    [14]

    Stébé B, Munschy G 1975 Solid State Commu. 17 1051

    [15]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2001 Phys. Rev. B 64 235301

    [16]

    Riva C, Peeters F M, Varga K 2000 Phys. Rev. B 61 13873

    [17]

    Shields A J, Osborne J L, Simmons M.Y, Ritchie D A 1995 Phys. Rev. B 52 R5523

    [18]

    Glasberg S, Finkelstein G, Shtrikman H, Bar-Joseph I 1999 Phys. Rev. B 59 R10425

    [19]

    Stebe B, Moradi A, Dujardin F 2000 Phys. Rev. B 61 7231

    [20]

    Astakhov G V, Yakovlev D R, Kochereshko V P, Ossau W, Faschinger W, Puls J ,Henneberger F 2002 Phys. Rev. B 65 165335

    [21]

    Kleinman D A 1983 Phys. Rev. B 28 871

    [22]

    Liu J J, Kong X J, Liu Y 1998 J. Appl. Phys. 84 2638

    [23]

    Liu J J, Chen X F, Li S S 2004 Chin. Phys. Lett. 21 2259

    [24]

    Liu J J, Zhang S F, Li Y X, Kong X J 2001 Eur. Phys. J. B 19 17

    [25]

    Zhang J B, Pang T, Chen C F 1995 Phys. Lett. A 206 101

    [26]

    Filinov A V, Riva C, Peeters F M, Lozovik Y E, Bonitz M 2004 Phys. Rev. B 70 035323

    [27]

    Li S S, Xia J B 2006 J. Appl. Phys. 100 083714

    [28]

    Li S S, Xia J B 2008 Appl. Phys. Letts. 92 022102

    [29]

    Birkedal D, Singh J, Lyssenko V G, Erland J, Hvam J M 1996 Phys. Rev. Lett. 76 672

    [30]

    Singh J, Birkedal D, Lyssenko V G, Hvam J M 1996 Phys. Rev. B 53 15909

    [31]

    Oh I K, Singh J 1999 Phys. Rev. B 60 2528

    [32]

    Bednarek S, Szafran B,Chwiej T, Adamowski J 2003 Phys. Rev. B 68 045328

  • [1] 徐现刚, 冀子武, 郑雨军. 超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性. 物理学报, 2011, 60(4): 047805. doi: 10.7498/aps.60.047805
    [2] 秋本良一, 嶽山正二郎, 三野弘文, 音贤一, 室清文, 冀子武. 掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应. 物理学报, 2008, 57(10): 6609-6613. doi: 10.7498/aps.57.6609
    [3] 张 红, 刘 磊, 刘建军. 对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能. 物理学报, 2007, 56(1): 487-490. doi: 10.7498/aps.56.487
    [4] 秋本良一, 陈锦祥, 冀子武, 嶽山正二郎, 鲁 云, 三野弘文. 调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子. 物理学报, 2008, 57(2): 1214-1219. doi: 10.7498/aps.57.1214
    [5] 沈曼, 张亮, 刘建军. 磁场和量子点尺寸对激子性质的影响. 物理学报, 2012, 61(21): 217103. doi: 10.7498/aps.61.217103
    [6] 王传奎, 江兆潭. 一类弯曲量子线的量子束缚态. 物理学报, 2000, 49(8): 1574-1579. doi: 10.7498/aps.49.1574
    [7] 杨 谋, 周光辉, 肖贤波. 太赫兹电磁场照射下量子线中的纳米电子力. 物理学报, 2003, 52(8): 2037-2040. doi: 10.7498/aps.52.2037
    [8] 刘建军, 李伯臧, 李玉现. 量子点接触中的电导与热功率:磁场与温度的影响. 物理学报, 2005, 54(3): 1366-1369. doi: 10.7498/aps.54.1366
    [9] 杨双波. 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响. 物理学报, 2014, 63(5): 057301. doi: 10.7498/aps.63.057301
    [10] 秋本良一, 冀子武, 小嵨映二, 嶽山正二郎, 三野弘文. 调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性. 物理学报, 2008, 57(5): 3260-3266. doi: 10.7498/aps.57.3260
    [11] 周光辉, 肖贤波, 李小毛. 电磁波辐照下量子线的电子自旋极化输运性质. 物理学报, 2007, 56(3): 1649-1654. doi: 10.7498/aps.56.1649
    [12] 李 宏, 郭华忠, 高 洁, 李 玲, 路 川. 声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究. 物理学报, 2008, 57(9): 5863-5868. doi: 10.7498/aps.57.5863
    [13] 黎明, 陈军, 宫箭. InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究. 物理学报, 2014, 63(23): 237303. doi: 10.7498/aps.63.237303
    [14] 赵敬龙, 董正超, 仲崇贵, 李诚迪. 量子线/铁基超导隧道结中隧道谱的研究. 物理学报, 2015, 64(5): 057401. doi: 10.7498/aps.64.057401
    [15] 李良新, 胡勇华. 可用于红外探测器的自组织量子线及其带间和子带间光学跃迁. 物理学报, 2005, 54(2): 848-856. doi: 10.7498/aps.54.848
    [16] 倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川, 王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究. 物理学报, 2011, 60(2): 020703. doi: 10.7498/aps.60.020703
    [17] 姜文龙, 孟昭晖, 丛林, 汪津, 王立忠, 韩强, 孟凡超, 高永慧. 双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应. 物理学报, 2010, 59(9): 6642-6646. doi: 10.7498/aps.59.6642
    [18] 李晓薇. 量子线/绝缘层/p波超导体结的隧道谱. 物理学报, 2007, 56(10): 6033-6037. doi: 10.7498/aps.56.6033
    [19] 杨新荣, 徐波, 赵国晴, 申晓志, 史淑惠, 李洁, 王占国. InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究. 物理学报, 2012, 61(21): 216802. doi: 10.7498/aps.61.216802
    [20] 安兴涛, 刁淑萌. 门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质. 物理学报, 2014, 63(18): 187304. doi: 10.7498/aps.63.187304
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3472
  • PDF下载量:  787
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-07
  • 修回日期:  2010-10-25
  • 刊出日期:  2011-07-15

外加磁场下抛物型量子线中的带电激子

  • 1. (1)河北工程大学理学院,邯郸 056038; (2)河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄 050016
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674040),河北自然科学基金(批准号:A200700233)和河北工程大学青年科学基金资助的课题.

摘要: 在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并对带正电激子(X+)和带负电激子(X-)的情况进行了比较.结果表明:电子和空穴的振子强度对带电激子的稳定性有重要影响,X+的束缚能不总是比X-的大,随着空穴振子强度的增加束缚能的函数曲线将会出现交叉,这同实验得到的结果符合;磁场的存在会增加粒子间的束缚,并且磁场对束缚能的影响同振子强度大小有关.

English Abstract

参考文献 (32)

目录

    /

    返回文章
    返回