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Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

潘书万 亓东峰 陈松岩 李成 黄巍 赖虹凯

Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

潘书万, 亓东峰, 陈松岩, 李成, 黄巍, 赖虹凯
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-13
  • 修回日期:  2010-12-20
  • 刊出日期:  2011-09-15

Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

  • 1. 厦门大学物理系半导体光子学研究中心,厦门 361005
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404),国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001),福建省自然科学基金(批准号:2008J0221)和福建省教育厅科技项目(批准号:JB08215)资助的课题.

摘要: 本文采用分子束外延(MBE)系统在Si(100)表面淀积Se薄膜. 通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si(100)表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si(100)表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度提升至400 ℃.

English Abstract

参考文献 (15)

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