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位错的会聚束电子衍射研究

冯国光

位错的会聚束电子衍射研究

冯国光
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-02-04
  • 刊出日期:  1986-01-05

位错的会聚束电子衍射研究

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 从硅位错附近得到的会聚束电子衍射图样表明高阶劳厄带线和菊池线分裂,晶体学等效的衍射显示不同的分裂或不分裂,这些结果可以用晶体缺陷的衍衬理论来解释,不分裂的衍射相当于位错的不可见,即g·b=0,会聚束电子衍射提供了强有力的研究缺陷的高空间分辨率手段。

English Abstract

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