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用正电子湮没研究NiAl中的晶体缺陷

王天民 下斗米道夫 堂山昌男

用正电子湮没研究NiAl中的晶体缺陷

王天民, 下斗米道夫, 堂山昌男
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-08-09
  • 刊出日期:  2005-07-14

用正电子湮没研究NiAl中的晶体缺陷

  • 1. (1)兰州大学物理系; (2)日本东京大学

摘要: 用正电子湮没技术研究了金属间化合物NiAl的结构缺陷、淬火缺陷和电子辐照缺陷,观察了淬火缺陷和辐照缺陷的回复行为。发现在280℃左右和500℃左右有两个明显的回复阶段。实验结果分析表明:低温回复是由于空位对的退火,而高温回复是由于单空位的退火而引起,并且NiAl中空位和晶格间隙处的导电电子密度较接近,但空位处的导电电子的动量比晶格间隙处的低。

English Abstract

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