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氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

高愈尊 大贯惣明 高桥平七郎 佐藤義一 竹山太郎

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

高愈尊, 大贯惣明, 高桥平七郎, 佐藤義一, 竹山太郎
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-02-02
  • 刊出日期:  2005-07-04

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

  • 1. (1)北京有色金属研究总院; (2)日本北海道大学金属研究所

摘要: 以50keV和100keV能量的氢离子注入p型(100)直拉硅单晶薄膜。注入剂量为1015—2×1017H+/cm2。试样在HU-1300型超高压透射电子显微镜中进行电子辐照和原位加热动态观察。结果表明在20—300℃温度范围内与未注氢硅相比,注氢硅在相同的电子辐照条件下产生的电子辐照缺陷较少,电子辐照缺陷形成所需的潜伏时间较长。在电子显微镜中加热试样时于190℃开始观察到氢泡,190—220℃范围内氢泡逐渐产生并长大

English Abstract

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