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在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜

周国良 陈可明 田亮光

在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜

周国良, 陈可明, 田亮光
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-01-22
  • 刊出日期:  1988-05-05

在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜

  • 1. (1)复旦大学表面物理实验室; (2)上海交通大学应用物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文报道了室温下淀积的薄层Ge在Si衬底表面上通过加热形成结晶的Ge岛,然后在此“带结构”的衬底表面上用分子束外延(MBE)方法生长Ge薄膜的反射式高能电子衍射(RHEED),俄歇电子能谱(AES)研究结果。X射线双晶衍射的测试结果表明,衬底表面的Ge岛有助于释放外延层的失配应力,提高外延层的晶体质量。

English Abstract

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