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He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

丁斌峰 相凤华 王立明 王洪涛

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

丁斌峰, 相凤华, 王立明, 王洪涛
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  • 离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+ 辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He+辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 50802041, 50872050), 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号: 2011CB832923)和廊坊师范学院重点项目(批准号: LSZZ201101)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-08-19
  • 修回日期:  2011-10-21
  • 刊出日期:  2012-04-15

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

  • 1. 廊坊师范学院物理与电子信息学院, 廊坊 065000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50802041, 50872050), 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号: 2011CB832923)和廊坊师范学院重点项目(批准号: LSZZ201101)资助的课题.

摘要: 离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+ 辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He+辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构.

English Abstract

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