搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

吴太权

微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

吴太权
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2609
  • PDF下载量:  558
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-30
  • 修回日期:  2011-07-30
  • 刊出日期:  2012-03-05

微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10904134,10802083)和浙江省创新团队基金(批准号:2009R50005)资助的课题.

摘要: 利用第一性原理研究了微锗掺杂直拉单晶硅中的锗和微缺陷的相互作用, 其中微缺陷用一个空位、两个空位和三个空位模拟. CASTEP计算了锗与一个空位、两个空位和三个空位相互作用的情况, 通过分析三种情况下锗与空位(或空位组中心)的间距及空位面积(或体积)的大小, 分别给出了三种情况下最稳定的锗-空位复合体结构模型. 计算表明在微锗掺杂硅单晶中由于锗的引入, 空位容易团聚在锗原子附近, 形成锗-空位复合体.

English Abstract

参考文献 (21)

目录

    /

    返回文章
    返回