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As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

李炳宗 孙臻 刘平 周祖尧 林成鲁 邹世昌

As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

李炳宗, 孙臻, 刘平, 周祖尧, 林成鲁, 邹世昌
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-02-22
  • 刊出日期:  2005-07-10

As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

  • 1. (1)复旦大学电子工程系,上海200433; (2)中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海200050

摘要: 在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi2/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。

English Abstract

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