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用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

李先皇 陆昉 孙恒慧

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

李先皇, 陆昉, 孙恒慧
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-09-15
  • 刊出日期:  2005-07-10

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

  • 1. 复旦大学物理系,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 应变的GexSi1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge0.25Si0.75/S

English Abstract

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