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Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究

吴木生 徐波 刘刚 欧阳楚英

Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究

吴木生, 徐波, 刘刚, 欧阳楚英
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  • 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法, 研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响. 计算结果表明: 当掺杂浓度较高时, W对MoS2的能带结构几乎没有影响, 而Cr的掺杂则影响很大, 表现为能带由直接带隙变为间接带隙, 且禁带宽度减小. 通过进一步分析, 得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10904054)、江西省自然科学基金(批准号: 2009GQW008, 2010GZW0028)、江西省光电子与通信重点实验室(江西师范大学)和江西师范大学青年英才培育资助计划资助的课题.
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    Yun W S, Han S W, Hong S C, Kim I G, Lee J D 2012 Phys. Rev. B 85 33305

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-07
  • 修回日期:  2012-09-08
  • 刊出日期:  2013-02-05

Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究

  • 1. 江西师范大学物理与通信电子学院, 南昌 330022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904054)、江西省自然科学基金(批准号: 2009GQW008, 2010GZW0028)、江西省光电子与通信重点实验室(江西师范大学)和江西师范大学青年英才培育资助计划资助的课题.

摘要: 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法, 研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响. 计算结果表明: 当掺杂浓度较高时, W对MoS2的能带结构几乎没有影响, 而Cr的掺杂则影响很大, 表现为能带由直接带隙变为间接带隙, 且禁带宽度减小. 通过进一步分析, 得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.

English Abstract

参考文献 (32)

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