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分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子

武振华 李华 严亮星 刘炳灿 田强

分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子

武振华, 李华, 严亮星, 刘炳灿, 田强
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  • 本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw70 并且衬底厚度Lb200 时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw70 或者衬底厚度Lb200 时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10574011,10974017)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-14
  • 修回日期:  2013-01-06
  • 刊出日期:  2013-05-05

分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子

  • 1. 北京师范大学物理系, 北京 100875;
  • 2. 装甲兵工程学院基础部, 北京 100072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10574011,10974017)资助的课题.

摘要: 本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw70 并且衬底厚度Lb200 时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw70 或者衬底厚度Lb200 时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.

English Abstract

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