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0.18 μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究

吴雪 陆妩 王信 席善斌 郭旗 李豫东

0.18 μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究

吴雪, 陆妩, 王信, 席善斌, 郭旗, 李豫东
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-28
  • 修回日期:  2013-03-03
  • 刊出日期:  2013-07-05

0.18 μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049
    基金项目: 

    模拟集成电路国家重点实验室(NLAIC)基金(批准号: 9140C090402110C0906)资助的课题.

摘要: 为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施, 本文对0.18 μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究. 结果表明: 和宽沟器件不同, 阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感, 此现象被称之为辐射感生窄沟道效应; 相比较栅氧化层, 器件隔离氧化层对总剂量辐照更敏感; 窄沟道NMOS器件阈值电压不仅和沟道耗尽区电荷有关, 寄生晶体管耗尽区电荷对其影响也不可忽略, 而辐照引起源漏之间寄生晶体管开启, 形成漏电通道, 正是导致漏电流、亚阈斜率等参数变化的原因.

English Abstract

参考文献 (13)

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