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氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究

王峰浩 胡晓君

氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究

王峰浩, 胡晓君
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  • 本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中 心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响. 结果表明, 氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度. 当氧离子注入剂量从1014 cm-2增加到1015 cm-2时, 薄膜中Si-V发光强度增强. Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低. 不同温度退火时, 氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时, 薄膜的面电阻率增加, 说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能. Raman光谱测试结果表明, 薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度, 而降低薄膜的导电性能.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 50972129, 50602039, 51211120188)和浙江省钱江人才计划(批准号: 2010R10026)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-16
  • 修回日期:  2013-03-29
  • 刊出日期:  2013-08-05

氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究

  • 1. 浙江工业大学化学工程与材料学院, 杭州 310014
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50972129, 50602039, 51211120188)和浙江省钱江人才计划(批准号: 2010R10026)资助的课题.

摘要: 本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中 心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响. 结果表明, 氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度. 当氧离子注入剂量从1014 cm-2增加到1015 cm-2时, 薄膜中Si-V发光强度增强. Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低. 不同温度退火时, 氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时, 薄膜的面电阻率增加, 说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能. Raman光谱测试结果表明, 薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度, 而降低薄膜的导电性能.

English Abstract

参考文献 (26)

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