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平行耦合双量子点分子A-B干涉仪的电荷及其自旋输运

白继元 贺泽龙 杨守斌

平行耦合双量子点分子A-B干涉仪的电荷及其自旋输运

白继元, 贺泽龙, 杨守斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-02
  • 修回日期:  2013-10-12
  • 刊出日期:  2014-01-05

平行耦合双量子点分子A-B干涉仪的电荷及其自旋输运

  • 1. 黑龙江工程学院电气与信息工程学院, 哈尔滨 150050;
  • 2. 哈尔滨师范大学, 哈尔滨 150025
    基金项目: 

    黑龙江省教育厅科学技术研究项目(批准号:12531543)资助的课题.

摘要: 利用非平衡格林函数方法,理论研究每臂中嵌有一个平行耦合双量子点分子的A-B干涉仪(平行耦合双量子点分子A-B干涉仪)的电荷及其自旋输运性质. 无外磁场时,与每臂中嵌有一个量子点的A-B干涉仪相比较,平行耦合双量子点分子A-B干涉仪中电子隧穿变得更加容易发生. 当平行耦合双量子点分子A-B干涉仪中引入外磁场时,能够在电导能谱中观察到一个Fano共振和一个反共振,这两种输运状态在磁场取适当数值时能够同时消失. 此外,通过调节左右两电极间的偏压、磁通和Rashba自旋轨道相互作用,可以对体系自旋输运进行调控.

English Abstract

参考文献 (22)

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