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掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响

张越 赵剑 董鹏 田达晰 梁兴勃 马向阳 杨德仁

掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响

张越, 赵剑, 董鹏, 田达晰, 梁兴勃, 马向阳, 杨德仁
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  • 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长, 以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响. 研究表明: 在相同的热氧化条件下, 重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的. 基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明: 与磷原子相比, 锑原子是更有效的空位俘获中心, 从而抑制空位与自间隙硅原子的复合. 因此, 在经历相同的热氧化时, 氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多, 从而导致OSF更长.
    [1]

    Fair R B 1981 J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol. 128 1360

    [2]

    Leroy B 1979 J. Appl. Phys. 50 7996

    [3]

    Hu S M 1974 J. Appl. Phys. 45 1567

    [4]

    Tan T Y, Gosele U 1982 Appl. Phys. Lett. 40 616

    [5]

    Murarka S P 1977 Phys. Rev. B 16 2849

    [6]

    Dornberger E, Graf D, Suhren M 1997 J. Cryst. Growth 180 343

    [7]

    Sinno T, Susanto H, Brown R A 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1533

    [8]

    Porrini M, Voronkov V V, Falster R 2006 Mater. Sci. Eng. B 134 185

    [9]

    Voronkova V V, Falster R 2002 J. Electrochem. Soc. 149 167

    [10]

    Válek L, Lysáček D, Šik J 2007 J. Electrochem. Soc. 154 904

    [11]

    Fair R B, Carim A 1982 J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol. 129 2319

    [12]

    Wijaranakula W 1991 J. Electrochem. Soc. 138 1131

    [13]

    Chichibu S, Harada T, Matsumoto S 1988 J. J. Appl. Phys. 22 1543

    [14]

    Sun Y C 1984 Semiconductor Testing Technology (first edition) (Beijing: Metallurgical Industry Press) p89 (in Chinese) [孙以材 1984 半导体测试技术(第一版)(北京: 冶金工业出版社) 第89页]

    [15]

    Hu S M 1977 J. Vac. Sci. Technol. 14 17

    [16]

    Sandersa I R, Dobsona P S 1969 Philo. Mag. 20 881

    [17]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [18]

    Monkhorst H J, Pack J D 1976 Phys. Rev. B 13 5188

  • [1]

    Fair R B 1981 J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol. 128 1360

    [2]

    Leroy B 1979 J. Appl. Phys. 50 7996

    [3]

    Hu S M 1974 J. Appl. Phys. 45 1567

    [4]

    Tan T Y, Gosele U 1982 Appl. Phys. Lett. 40 616

    [5]

    Murarka S P 1977 Phys. Rev. B 16 2849

    [6]

    Dornberger E, Graf D, Suhren M 1997 J. Cryst. Growth 180 343

    [7]

    Sinno T, Susanto H, Brown R A 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1533

    [8]

    Porrini M, Voronkov V V, Falster R 2006 Mater. Sci. Eng. B 134 185

    [9]

    Voronkova V V, Falster R 2002 J. Electrochem. Soc. 149 167

    [10]

    Válek L, Lysáček D, Šik J 2007 J. Electrochem. Soc. 154 904

    [11]

    Fair R B, Carim A 1982 J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol. 129 2319

    [12]

    Wijaranakula W 1991 J. Electrochem. Soc. 138 1131

    [13]

    Chichibu S, Harada T, Matsumoto S 1988 J. J. Appl. Phys. 22 1543

    [14]

    Sun Y C 1984 Semiconductor Testing Technology (first edition) (Beijing: Metallurgical Industry Press) p89 (in Chinese) [孙以材 1984 半导体测试技术(第一版)(北京: 冶金工业出版社) 第89页]

    [15]

    Hu S M 1977 J. Vac. Sci. Technol. 14 17

    [16]

    Sandersa I R, Dobsona P S 1969 Philo. Mag. 20 881

    [17]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [18]

    Monkhorst H J, Pack J D 1976 Phys. Rev. B 13 5188

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-10-22
  • 修回日期:  2014-11-30
  • 刊出日期:  2015-05-05

掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027;
  • 2. 浙江金瑞泓科技股份有限公司, 宁波 315800

摘要: 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长, 以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响. 研究表明: 在相同的热氧化条件下, 重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的. 基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明: 与磷原子相比, 锑原子是更有效的空位俘获中心, 从而抑制空位与自间隙硅原子的复合. 因此, 在经历相同的热氧化时, 氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多, 从而导致OSF更长.

English Abstract

参考文献 (18)

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