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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

徐 进 杨德仁 储 佳 马向阳 阙端麟

微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

徐 进, 杨德仁, 储 佳, 马向阳, 阙端麟
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-12-13
  • 修回日期:  2003-04-11
  • 刊出日期:  2004-02-16

微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学重点基金(批准号:50032010)和国家863项目(批准号:2002AA31)资助的课题.

摘要: 利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮(NCZ)和不含氮(CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小,并有冲出型位错产生.而在CZ中,生成了大量的多面体氧沉淀,并且随着热氧化时间的延长,层错的尺寸逐渐增大.

English Abstract

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