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碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

郎维和 张宝峰 刘家璐 张廷庆 罗宏伟 严北平

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

郎维和, 张宝峰, 刘家璐, 张廷庆, 罗宏伟, 严北平
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-05-26
  • 修回日期:  1997-09-09
  • 刊出日期:  1998-01-05

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

  • 1. (1)电子工业部第11研究所,北京 100015; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071

摘要: 提出了碲溶剂法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过相图来确定.采用有限差分法完成了组分x=0.2的长波碲镉汞晶体生长过程的数值模拟.讨论了液相区温度场分布、加热器移动速度、液相区长度和生长界面温度对生长碲镉汞晶体轴向组分的影响.模拟结果与实验结果相符.

English Abstract

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