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一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼

董艳芳 何大伟 王永生 许海腾 巩哲

一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼

董艳芳, 何大伟, 王永生, 许海腾, 巩哲
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  • 最近单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电等领域中的潜在应用而备受关注. 化学气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼, 但其制备工艺比较复杂. 本文采用简化的化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备出了大尺寸的单晶二硫化钼. 清洗衬底时, 只需要简单的清洁, 不需要用丙酮、食人鱼溶液(H2SO4/H2O2=3:1)等处理, 这样既减少了操作步骤, 又避免了潜在的危险. 升温时直接从室温加热到生长的温度, 不必分段升温, 并且采用常压化学气相沉积法, 不需要抽真空等过程, 使得实验可以快捷方便地进行. 光学显微镜、拉曼光谱和光致发光谱的结果表明, 生长的二硫化钼为规则的三角形单层, 边长为50 m左右, 远大于机械剥离的样品.
      通信作者: 董艳芳, 13121559@bjtu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61335006, 61527817, 61378073)和北京市科学技术委员会(批准号: Z151100003315006)资助的课题.
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    Coehoorn R, Haas C, Dijkstra J, Flipse C J F 1987 Phys. Rev. B 35 6195

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    Wang Q H, Kalantar-Zadeh K, Kis A, Coleman J N, Strano M S 2012 Nat. Nanotechnol. 7 699

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    Radisavljevic B, Radenovic A, Brivio J, Giacometti V, Kis A 2011 Nat. Nanotechnol. 6 147

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    Perkgoz N K, Bay M 2016 Nano-Micro Lett. 8 70

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出版历程
  • 收稿日期:  2016-03-09
  • 修回日期:  2016-03-18
  • 刊出日期:  2016-06-20

一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼

  • 1. 北京交通大学, 发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044;
  • 2. 北京交通大学光电子技术研究所, 北京 100044
  • 通信作者: 董艳芳, 13121559@bjtu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61335006, 61527817, 61378073)和北京市科学技术委员会(批准号: Z151100003315006)资助的课题.

摘要: 最近单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电等领域中的潜在应用而备受关注. 化学气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼, 但其制备工艺比较复杂. 本文采用简化的化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备出了大尺寸的单晶二硫化钼. 清洗衬底时, 只需要简单的清洁, 不需要用丙酮、食人鱼溶液(H2SO4/H2O2=3:1)等处理, 这样既减少了操作步骤, 又避免了潜在的危险. 升温时直接从室温加热到生长的温度, 不必分段升温, 并且采用常压化学气相沉积法, 不需要抽真空等过程, 使得实验可以快捷方便地进行. 光学显微镜、拉曼光谱和光致发光谱的结果表明, 生长的二硫化钼为规则的三角形单层, 边长为50 m左右, 远大于机械剥离的样品.

English Abstract

参考文献 (19)

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