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恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为

王 浩 郭 永 顾秉林

恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为

王 浩, 郭 永, 顾秉林
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-02-03
  • 刊出日期:  1999-09-20

恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为

  • 1. 清华大学现代应用物理系,北京 100084
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:715-010-0011)和清华大学科研基金(批准号:98jc082)资助的课题.

摘要: 对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明,在相当宽广的非共振电子入射能区,外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,共振减弱;对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振,这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明,磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导.

English Abstract

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