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GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

Q.X.ZHAO M.WILLANDER 陈益栋 刘兴权 陆 卫 史国良 沈学础

GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

Q.X.ZHAO, M.WILLANDER, 陈益栋, 刘兴权, 陆 卫, 史国良, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-12-21
  • 修回日期:  1999-01-23
  • 刊出日期:  1999-09-20

GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

  • 1. (1)Department of Physics,Fysikgrand 3,University of Chalmers,S-41296 Gteborg,Sweden; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083

摘要: 报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍.

English Abstract

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