搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

朱林 金莲 李玲 谢征微

多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

朱林, 金莲, 李玲, 谢征微
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  4436
  • PDF下载量:  1333
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-09
  • 修回日期:  2009-04-24
  • 刊出日期:  2009-06-05

多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

  • 1. (1)乐山师范学院物理与电子信息科学系,乐山 614004; (2)四川师范大学物理与电子工程学院,成都 610066
    基金项目: 

    四川师范大学科研基金重点项目(批准号:07ZDY004)和乐山师范学院科研基金(批准号:207053)资助的课题.

摘要: 在转移矩阵方法及Mireles和Kirczenow的量子相干输运理论的基础上,研究了正常金属层/磁性半导体层/非磁绝缘层/磁性半导体层/正常金属层型双自旋过滤隧道结中Rashba自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应对自旋相关输运的影响.讨论了隧穿磁电阻(TMR)、隧穿电导与各材料层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性半导体中磁矩的相对夹角θ之间的关系.研究表明:含磁性半导体层的双自旋过滤隧道结由于磁性半导体层的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合作用可获得极大的TMR值.另外TMR和隧穿电导随着Rashba自旋轨道耦合强度的变化而振荡,振荡周期随Rashba自旋轨道耦合强度的增大逐渐减小.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回