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GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

李娜 袁先漳 李宁 陆卫 李志峰 窦红飞 沈学础 金莉 李宏伟 周均铭 黄绮

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

李娜, 袁先漳, 李宁, 陆卫, 李志峰, 窦红飞, 沈学础, 金莉, 李宏伟, 周均铭, 黄绮
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-06-28
  • 刊出日期:  2000-04-20

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080
    基金项目: 

    973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&&

摘要: 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.

English Abstract

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