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n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

蒋春萍 桂永胜 郑国珍 马智训 李 标 郭少令 褚君浩

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

蒋春萍, 桂永胜, 郑国珍, 马智训, 李 标, 郭少令, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-02-19
  • 修回日期:  2000-03-30
  • 刊出日期:  2000-09-20

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083

摘要: 通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0.80Mg0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg1-x

English Abstract

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