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Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运

张晓青 G.M.SESSLER 夏钟福 张冶文

Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运

张晓青, G.M.SESSLER, 夏钟福, 张冶文
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-04-02
  • 修回日期:  2000-08-27
  • 刊出日期:  2001-01-05

Si基Si3N4/SiO2双层膜驻极体的电荷储存与输运

  • 1. (1)达姆施塔特技术大学电声研究所,德国Darmstadt; (2)同济大学波耳固体物理研究所,上海200092
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59682003)

    中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室资助的课题.

摘要: 利用等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储特性.结果表明:在常温环境中,300℃高温下,以及95%相对湿度时的60℃条件下,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样,其电荷输运受慢再捕获效应(slow retrapping effect)控制;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4/SiO2驻极体的正电荷输运特性.

English Abstract

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