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p型半导体金刚石膜的磁阻效应

王万录 廖克俊 王蜀霞 方亮 孔春阳 马勇

p型半导体金刚石膜的磁阻效应

王万录, 廖克俊, 王蜀霞, 方亮, 孔春阳, 马勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-12-17
  • 修回日期:  2001-01-15
  • 刊出日期:  2001-04-05

p型半导体金刚石膜的磁阻效应

  • 1. (1)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044; (2)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044;重庆师范学院物理系,重庆400047; (3)重庆师范学院物理系,重庆400047
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19904016)资助的课题.

摘要: 在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因

English Abstract

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